SMD LED 크기 5730 화이트

S MD LED 크기 5730 화이트

5730 LED 칩 포장 LED 가로등 램프의 핵심 장치로서 LED 포장 공정으로 LED 칩의 성능을 개선하여 광 효율, 수명, 안정성, 광학 설계 및 열 소산의 영향을 달성해야합니다. 다양한 LED 칩 구조로 인해 해당 포장 프로세스도 큰 차이를 갖습니다. LED 가로등의 핵심 구성 요소로서 5730 LED 칩 포장은 LED 칩 성능을 향상시키는 데 필수적인 역할을합니다. 효율, 수명, 안정성, 광학 설계 및 열 소산 특성은 모두 LED 포장 공정에 의해 크게 영향을받습니다. 다른 LED 칩 구조에는 다른 포장 프로세스가 필요하다는 점에 유의해야합니다.

LED 칩의 양성 및 수직 구조에서, 질화 갈륨 (GAN)은 인 및 실리카 겔과 상호 작용한다. 대조적으로, 플립 칩 구조는 사파이어가 인 및 실리카 겔과 접촉하는 것을 본다. GAN의 굴절률은 약 2.4이고, 사파이어는 1.8, 인은 1.7이고, 실리카 겔은 일반적으로 1.4-1.5 사이에서 다양합니다. 이러한 지수를 반영하여 사파이어/(실리카 겔 + 형광체)의 총 반사 임계 각도는 GAN/(실리카 겔 + 형광체) (36.7-45.1 °)에 비해 더 큽니다 (51.1-70.8 °).

결과적으로, 포장 구조에서 사파이어 표면에서 방출되는 빛은 실리카 겔과 인 인터페이스를 통과 할 때 더 큰 임계 각도를 만듭니다. 이는 빛의 총 반사 손실을 실질적으로 감소시킵니다.

또한 LED 칩 구조 설계의 차이는 전류 밀도 및 전압의 차이로 이어져 LED 칩 광 효율에 크게 영향을 미칩니다. 예를 들어, 기존의 양으로로드 된 칩은 일반적으로 3.5V를 초과하는 전압을 갖습니다. 한편, 플립 칩 구조의 전극 설계는 더 많은 균일 한 전류 분포를 보장하여 LED 칩 전압을 2.8V-3.0V로 줄입니다. 결과적으로, 플립 칩의 가벼운 효율은 양성 칩의 가벼운 효율을 약 16-25%정도 능가합니다.

LED 칩의 양성 및 수직 구조는 인간 및 실리카 겔과 접촉하는 GAN이며, 플립 칩 구조는 인 및 실리카 겔과 접촉하는 사파이어이다. GAN의 굴절률은 약 2.4이고, 사파이어의 굴절률은 1.8이고, 인의 굴절률은 1.7이고, 실리카 겔의 굴절률은 일반적으로 1.4-1.5입니다. 사파이어/(실리카 겔 + 인) 및 GAN/(실리카 겔 + 인)의 총 반사 임계 각도는 각각 51.1-70.8 ° 및 36.7-45.1 °이며 패키지 구조의 사파이어 표면에서 방출 된 빛은 통과합니다. 실리카 겔 및 형광체 인터페이스. 층의 총 반사의 임계 각도는 더 크고 광의 총 반사 손실이 크게 감소된다. 동시에, LED 칩 구조의 설계는 다르므로 전류 밀도와 전압이 다르므로 LED 칩의 광 효율에 상당한 영향을 미칩니다. 예를 들어, 기존의 양수 로딩 칩은 일반적으로 3.5V 이상의 전압을 가지며, 플립 칩 구조는 전극 구조의 설계로 인해 더 균일 한 전류 분포를 가지므로 LED 칩의 전압이 크게 따라서 2.8V-3.0V로 감소했으며,이 경우 플립 칩의 광 효과는 양성 칩보다 약 16-25% 높습니다.

사양 S MD LED 크기 5730 화이트

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